Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究

摘要：

采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜,并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析,发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高,说明Delta掺杂可有效抑制缺陷,并对缺陷抑制机理进行了讨论;最后,对掺杂前的预通氨过程作了深入的研究,结果发现,预通氨对掺杂不益.

关键词：氮化镓、LEDs、MOCVD、Delta掺杂

所属期刊栏目：56

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60506012;北京市教委科研项目KZ200510005003

在线出版日期：2007-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1036-1040