InN薄膜的氧化特性研究

摘要：

研究了InN薄膜在不同氧气氛中的氧化特性.研究表明,在400℃以下,InN薄膜很难被氧化,而金属In很容易被氧化.因此富In的InN薄膜的氧化在400℃以下主要是金属In的氧化,在400℃以上为金属In和InN的同时被氧化.在400℃以上的氧化过程中,InN的表观氧化速率非常慢,这可能和InN的高温分解有关.InN的湿氧和干氧氧化结果说明湿氧氧化速率比干氧快.

关键词：InN、氧化铟、氧化、X射线衍射

所属期刊栏目：56

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2006CB6049;国家自然科学基金60390072;60476030;60421003;60676057;教育部科学技术研究项目10416;教育部高等学校博士学科点专项科研基金20050284004;江苏省自然科学基金BK2005210;BK2006126

在线出版日期：2007-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1032-1035