感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究

摘要：

为实现基于InP/InGaAsP材料的二维光子晶体结构低损伤、高各向异性的干法刻蚀,研究了对InP材料基于Cl2/BCl3气体的感应耦合等离子体刻蚀.从等离子体轰击使衬底升温的角度分析了刻蚀机理,发现离子轰击加热引起的侧蚀与物理溅射在侧壁再沉积之间处于平衡时可以得到高各向异性刻蚀,平衡点将随ICP功率增高而向偏压减小方向移动,从而在近203 V偏压下得到陡直的侧壁.在优化气体组分后,成功实现了光子晶体结构高各向异性的低偏压刻蚀.

关键词：光子晶体、InP/InGaAsP、感应耦合等离子体、Cl2/BCl3、低偏压刻蚀

所属期刊栏目：56

分类号：O53(等离子体物理学)

在线出版日期：2007-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：977-981