1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计

摘要：

结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层p掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3 dB带宽,发现p掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性,分析了对VCSEL结构的要求;分析了分布参数对频率特性的影响,对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3 pm量子点VCSEL结构.

关键词：量子点、垂直腔面发射激光器、微分增益、3dB带宽

所属期刊栏目：56

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划TG2000036603;国家重点研究项目60137020;国家高技术研究发展计划863计划2002AA312080

在线出版日期：2007-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：863-870