同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究

摘要：

利用热氧化法在硅晶片上生长SiO2薄膜,结合光刻和磁控溅射技术在SiO2薄膜表面制备接触型钴掩模,通过掩模方法在硅表面开展了同步辐射光激励的表面刻蚀研究,在室温下制备了SiO2薄膜的刻蚀图样.实验结果表明:在同步辐射光照射下,通入SF6气体可以有效地对SiO2薄膜进行各向异性刻蚀,并在一定的气压范围内,刻蚀率随SF6气体浓度的增加而增加,随样品温度的下降而升高;如果在同步辐射光照射下,用SF6和O2的混合气体作为反应气体,刻蚀过程将停止在SiO2/Si界面,即不对硅刻蚀,实现了同步辐射对硅和二氧化硅两种材料的选择性刻蚀;另外,钴表现出强的抗刻蚀能力,是一种理想的同步辐射光掩模材料.

关键词：同步辐射刻蚀、接触型钴掩模、二氧化硅薄膜

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60177003;10675083;上海市应用材料研究与发展基金0416

在线出版日期：2006-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6163-6167