10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.094
取向和非取向In2O3纳米线的场发射研究
用自制的设备制备了取向和无取向氧化铟纳米线,并研究了In2O3纳米线的场发射性质,发现取向纳米线比非取向纳米线有着更好的场发射特性.取向纳米线的开启和阈值场强明显低于非取向纳米线,这可能是由于取向纳米线之间的场屏蔽效应较弱以及取向纳米线有较多的顶部发射端的缘故.
场发射、纳米线、取向、非取向
55
O4(物理学)
国家高技术研究发展计划863计划2005AA303G10;福建省科技攻关项目2004HZ01-2;福建省自然科学基金A0420001
2006-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
6136-6140