10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.091
电压应力下超薄栅氧化层 n-MOSFET的击穿特性
研究了90nm工艺下栅氧化层厚度为1.4nm的n-MOSFET的击穿特性,包括V-ramp(斜坡电压)应力下器件栅电流模型和CVS(恒定电压应力)下的TDDB(经时击穿)特性,分析了电压应力下器件的失效和退化机理.发现器件的栅电流不是由单一的隧穿引起,同时还有电子的翻越和渗透.在电压应力下,SiO2中形成的缺陷不仅降低了SiO2的势垒高度,而且等效减小了SiO2的厚度(势垒宽度).另外,每一个缺陷都会形成一个导电通道,这些导电通道的形成增大了栅电流,导致器件性能的退化,同时栅击穿时间变长.
超薄栅氧化层、斜坡电压、经时击穿、渗透
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O4(物理学)
国家高技术研究发展计划863计划2003AA1Z1630;国家自然科学基金60376024
2006-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
6118-6122