10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.086
纳米MOSFET迁移率解析模型
从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析,该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰,且具有相当精度.
玻尔兹曼方程、纳米MOSFET、迁移率、沟道有效电场
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O4(物理学)
国家自然科学基金60276042
2006-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
6090-6094