AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究

摘要：

采用O2等离子体及HF溶液对AlGaN/GaN异质结材料进行表面处理后,Ni/Au肖特基接触特性比未处理有了明显改善,反向泄漏电流减小3个数量级.对制备的肖特基接触进行200-600℃5min的N2气氛退火,发现退火冷却后肖特基反向泄漏电流随退火温度增大进一步减小.N2气中600℃退火后肖特基二极管C-V特性曲线在不同频率下一致性变好,这表明退火中Ni向材料表面扩散减小了表面陷阱密度;C-V特性曲线随退火温度增大向右移动,从二维电子气耗尽电压绝对值减小反映了肖特基势垒的提高.

关键词：AlGaN/GaN、肖特基接触、表面处理、退火

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分类号：O4(物理学)

资助基金：重大科技预研项目41308060106;国家重点基础研究发展计划973计划2002CB3119

在线出版日期：2006-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6085-6089