氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储

摘要：

研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si)层晶化,形成包含双层nc-Si的金属-氮化物-半导体(MIS)结构.通过电容电压(C-V)特性测量,观测到该结构中由于电荷存储引起的C-V回滞现象,并在室温下成功观察到载流子基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿注入到第一层、第二层nc-Si的两级电荷存储状态.结合电流电压(I-V)特性的测量,对电荷存储的机理进行了深入分析.

关键词：纳米硅、氮化硅、电容电压法、电流电压法

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60471021;90301009;60571008;国家重点基础研究发展计划973计划2001CB610503;国家重点实验室基金

在线出版日期：2006-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6080-6084