10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.078
SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究
采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.
第一性原理、表面扩散、结合能、金属原子
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TG1(金属学与热处理)
国家自然科学基金;上海市科委资助项目;国家重点基础研究发展计划973计划
2006-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
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