AlInGaAs垂直谐振腔顶面发射半导体激光器横向温度效应的解析热模型及其表征
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.045

AlInGaAs垂直谐振腔顶面发射半导体激光器横向温度效应的解析热模型及其表征

引用
依据增益导波垂直谐振腔顶面发射半导体激光器热区特点与室温连续波运行条件建立了一个优化的全解析热模型,对AlInGaAs/AlGaAs垂直谐振腔激光器的横向温度效应进行了详细的解析计算分析,其完全的解析表达展示了更加清晰的横向热场物理图像,对于器件内部热场变化规律的理论预期与实验结果完全符合.该解析模型及其结果对于研究热稳态下的垂直谐振腔激光器热动力学特性,优化器件结构和控制激光器的阈值电流与功率温度饱和效应,特别是二维面阵器件中的横向热叠加效应提供了一个有用的工具.

半导体面发射激光器、热效应、解析计算模型

55

O37(流变学)

教育部留学回国人员科研启动基金373155

2006-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

5848-5854

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

物理学报

1000-3290

11-1958/O4

55

2006,55(11)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn