用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜

摘要：

利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结果表明,基底负偏压对薄膜立方相含量和薄膜压应力有很大影响,另外,衬底的电阻率对c-BN生长和薄膜的压应力也有一定的影响.

关键词：立方氮化硼、射频溅射、压应力、基底负偏压

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60376007

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：5441-5443