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10.3321/j.issn:1000-3290.2006.10.074

铝互连线的电迁移问题及超深亚微米技术下的挑战

引用
铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向.

电迁移、铝互连、微结构

55

O4(物理学)

2006-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共11页

5424-5434

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

55

2006,55(10)

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