10.3321/j.issn:1000-3290.2006.10.039
长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6-1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10-40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
MOCVD、InGaAs/InGaAsP、应变量子阱、分布反馈激光器
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TN2(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金60176023
2006-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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