小尺寸MOSFET隧穿电流解析

摘要：

基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好,表明此模型不仅可用于SiO2、也可用于高介电常数(k)材料作为栅介质以及叠层栅介质结构MOSFET栅极漏电特性的模拟分析,计算时间较自洽解方法大大缩短,适用于MOS器件电路模拟.

关键词：隧穿电流、MOSFET、量子机理、解析模型

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60376019;湖北省自然科学基金2003ABA087

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：5036-5040