InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响

摘要：

对量子点超晶格材料中量子点纵向周期和同层量子点的横向周期间距对量子点及其周围应变场分布的影响进行了系统的研究.结果表明,横向和纵向周期通过衬底材料之间的长程相互作用对量子点沿中心轴路径应变分布的影响效果正好相反,在适当条件下,两者对量子点应变场分布的影响可以部分抵消.同时也论证了在单层量子点和超晶格量子点材料中,计算量子点的电子结构时,应综合考虑量子点空间周期分布对载流子限制势的影响,不能简单的利用孤立量子点模型来代替.

关键词：应变、半导体量子点、自组织

所属期刊栏目：55

分类号：O7(晶体学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314901;国家高技术研究发展计划863计划2003AA311070;集成光电子学国家重点联合实验室开放项目

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：5023-5029