10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.094
高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究
采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN (0≤x≤0.3)外延材料样品. 对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究. 研究发现:在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级;通过对Mg掺杂InGaN(InGaN:Mg)样品的光致发光(PL)谱的分析,解释了InGaN:Mg样品的载流子跃迁机理,并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置.
Mg掺杂InGaN、高空穴浓度、光致发光、金属有机物化学气相沉积
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O4(物理学)
国家自然科学基金60506012;北京市教委科研项目KZ200510005003;北京工业大学校科研和教改项目52002014200403
2006-10-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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