铁电钾钠铌酸锶钡薄膜电光性能的研究

摘要：

采用溶胶-凝胶法在氧化镁单晶衬底上制备了符合化学计量比的完全填充型铁电钾钠铌酸锶钡(KNSBN)薄膜,通过X射线衍射,摇摆曲线,X射线Φ扫描,扫描电子显微镜等方法研究了薄膜的微结构,采用Adachi法研究了薄膜的电光特性. 实验发现,KNSBN薄膜在氧化镁(001)单晶衬底上沿c轴外延生长,K+,Na+的引入有效地提高了薄膜的横向电光系数r51. 成分为K0.2Na0.2Sr0.24Ba0.56Nb2O6, K0.2Na0.2Sr0.6Ba0.2Nb2O6, K0.2Na0.2Sr0.72Ba0.08Nb2O6的三种KNSBN薄膜的r51值分别为 108.52pm/V, 119.98pm/V, 126.96pm/V,r51的数值随Sr2+含量增加而增大.

关键词：横向电光系数、钾钠铌酸锶钡、外延生长

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60578012;浙江省自然科学基金x405002

在线出版日期：2006-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：4928-4933