纳米C和SiC掺杂对MgB2带材超导性能的影响

摘要：

采用X射线衍射仪,扫描电镜,超导量子干涉仪等仪器对纳米C和SiC掺杂的MgB2带材进行了表征,并采用标准四引线法对样品的临界电流进行了测试. 实验表明,C和SiC掺杂在提高MgB2带材高场下的临界电流密度方面具有显著效果. 在温度为4.2 K、磁场大于9 T条件下,C和SiC掺杂样品的临界电流密度与未掺杂样品相比均提高一个数量级以上. 掺杂样品高磁场下良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用. 实验结果表明,SiC掺杂的MgB2带材之所以具有非常好的高场电流特性,和C掺杂的样品一样, C对B的替代起到十分关键的作用.

关键词：MgB2带材、C掺杂、SiC掺杂、临界电流性能

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金50472063;50377040;国家重点基础研究发展计划973计划2006CB601004

在线出版日期：2006-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：4873-4877