10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.077
具有高阻抗本征SnO2过渡层的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池
采用超声喷雾热解法制备了具有高阻抗的本征SnO2透明导电膜,将其运用在CdS层减薄了的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池中,对减薄后的CdS薄膜进行了XRD,AFM图谱分析,并对电池进行了光、暗I-V,光谱响应和C-V测试.结果表明,在高阻膜上沉积的减薄CdS薄膜(111)取向更明显,但易形成微孔.引入高阻层后,能消除CdS微孔形成的微小漏电通道,有效保护p-n结,改善了电池的并联电阻、填充因子和短波响应,使载流子浓度增加,暗饱和电流密度减小,从而电池性能得到改善,电池转换效率增加了14.4%.
CdTe电池、过渡层、效率
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O4(物理学)
国家高技术研究发展计划863计划2001AA513010;高等学校博士学科点专项科研项目20050610024
2006-10-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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