Mg掺杂ZnO所致的禁带宽度增大现象研究

摘要：

采用第一性原理的超软赝势方法,研究了纤锌矿ZnO及不同量Mg掺杂ZnO合金的电子结构.理论计算表明,Mg的掺杂导致ZnO晶体的禁带宽度增大.研究发现,Zn 4s态决定导带底的位置,Mg的掺入导致Zn 4s态向高能端的偏移是导致禁带宽度增大的根本原因.

关键词：密度泛函理论、赝势、Mg掺杂ZnO

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金90306010;20371015;国家教育部新世纪优秀人才计划资助的项目

在线出版日期：2006-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：4809-4815