InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析

摘要：

利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)中沟道厚度对沟道中二维电子气(2DEG)性质的影响,并对产生这种影响的原因进行了深入探讨.计算结果表明,当沟道层厚度从10nm增加到40nm时,沟道中2DEG的密度几乎没有变化,但激发态和基态上的电子密度之比(R)先增加后减小.当沟道层厚度在20-25nm之间时,R达到最大.此结果可作为优化器件结构设计的依据.

关键词：HEMT、异质结、二维电子气、自洽计算

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2006-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：3677-3682