离子束增强沉积制备p型氧化锌薄膜及其机理研究

摘要：

采用离子束增强沉积方法在Si和SiO2/Si衬底上制备In-N共掺杂ZnO薄膜(INZO),溅射靶是用ZnO和2 atm%In2O3粉体均匀混合并压制而成,在氩离子溅射ZnO靶的同时,氮、氩混合离子束垂直注入沉积的薄膜.实验结果显示INZO薄膜具有(002)的择优取向,并且为p型导电,电阻率最低为O.9Ωcm.薄膜在氮气、氧气气氛下退火,对薄膜的结构和电学特性与成膜和退火条件的关系进行了分析.

关键词：氧化锌薄膜、p型掺杂、离子束增强沉积

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2006-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：3581-3584