CMOS器件60Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较

摘要：

利用TRIM95蒙特卡罗软件计算了质子在二氧化硅中的质量阻止本领和能量沉积,比较了质子在二氧化硅中的电离阻止本领与核阻止本领,分析了质子在材料的表面吸收剂量与灵敏区实际吸收剂量的关系.利用60Coγ射线、1MeV电子和2-9 MeV质子对CC4007RH和CC4011器件进行辐照实验,比较60Coγ射线和带电粒子的电离辐射损伤情况.实验结果表明,60Coγ射线、1MeV电子和2-7MeV质子辐照损伤效应中,在0V栅压下可以相互等效;在5V栅压下,以60Coγ射线损伤最为严重,1MeV电子的辐射损伤与60Coγ射线差别不大,9MeV以下质子辐射损伤总是小于60Coγ射线,能量越低,损伤越小.

关键词：γ射线、电子、质子、辐射损伤

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

资助基金：国防预研基金3110705

在线出版日期：2006-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：3546-3551