孔隙率及晶粒尺寸对多孔PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理研究

摘要：

采用添加造孔剂的方法制备多孔锆钛酸铅(PZT)陶瓷,并研究了孔隙率和晶粒尺寸对多孔 PZT陶瓷介电和压电性能的影响及机理.研究表明:孔隙率的增加降低了多孔 PZT陶瓷的介电常数,提高了静水压优值,并证明在一定条件下孔隙率与介电常数关系可由Okazaki经验公式及Banno模型预测;晶粒尺寸增加,多孔PZT陶瓷的介电常数、压电系数和优值增加,并可用Okazaaki空间电荷理论解释晶粒尺寸对试样介电和压电性能的影响.对于添加重量百分数为10%造孔剂的多孔PZT陶瓷,当烧结温度为1300℃时,孔隙率为34%,d33达312 pC/N接近致密PZT(350pC/N),其静水压优值为致密PZT的十几倍;介电常数和压电系数比具有相当优值的PZT聚合物复合材料高很多,在具有高灵敏度的同时能更有效地抗外界干扰.

关键词：多孔PZT陶瓷、静水压优值、压电性能、介电性能

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：3073-3079