二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究

摘要：

针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100-300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanical systems,简称为MEMS)工艺有很好的兼容性.

关键词：二氧化钒、电阻温度系数、氧分压、射频反应溅射法

所属期刊栏目：55

分类号：O6(化学)

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2846-2851