10.3321/j.issn:1000-3290.2006.06.008
含单负介质层受阻全内反射结构的光子隧穿现象研究
利用稳定相位理论得到了光子穿越含单负介质层受阻全内反射结构的隧穿时间以及光子穿透光学势垒后产生的横向位移.分析结果表明,当势垒为单负介质时,光子隧穿可能表现出负的隧穿时间和负的横向位移.隧穿时间和横向位移存在Hartman效应,使得光子隧穿过程具有超光速性质.此外,基于TM波和TE波通过负介电常数介质和负磁导率介质势垒产生的横向位移的方向正好相反,得到了一种有效的区分两类单负介质的方法.
光子隧穿、负折射、单负介质、超光速
55
Q37(植物遗传学)
国家自然科学基金10576012;高等学校博士学科点专项科研项目20040532005
2006-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
2714-2719