CdSe/ZnSe异质结构中Zn1-xCdx Se量子岛(点)的显微荧光光谱和显微拉曼光谱研究

摘要：

利用显微荧光和显微拉曼光谱,研究了分子束外延生长的CdSe/ZnSe异质结构中,由两种不同机理形成的两类具有不同尺寸和组分的Zn1-xCdxSe量子岛.4.2 K时的显微荧光光谱表明,当CdSe淀积厚度由1.8 ML增加到2.3ML时,Zn1-xCdxSe量子岛的激子荧光峰有166 meV的较大红移,这是量子岛尺寸改变引起的量子限制势能变化所不能完全解释的.经过对样品的显微荧光和显微拉曼光谱的对比分析,发现还存在另外两种引起量子岛荧光峰较大红移的机理:一方面是因为随着CdSe淀积厚度的增加,具有更低能态的大岛密度的增加,并逐渐取代小岛而主导Zni-xCdxSe量子岛的荧光性质;另一方面是由于CdSe/ZnSe量子结构中的两类量子岛的Cd组分浓度也会随CdSe淀积厚度的增加而增加,从而引起量子岛荧光峰的较大红移.

关键词：CdSe、荧光、Raman

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分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院资助项目90401015,10374018,10321003;上海市重点基础研究项目03DJ14001

在线出版日期：2006-05-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2628-2632