Si-OH基团对SiCOH低k薄膜性能的影响与控制

摘要：

研究了十甲基环五硅氧烷(D5)的电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH薄膜中Si-OH基团对介电性能和漏电流的影响.结果表明Si-OH含量的增大会导致介电常数k的增大、漏电流的降低和介电色散的增强.由于Si-OH结构的强极化补偿了薄膜密度减小带来的介电常数降低,导致总的介电常数k增大.高Si-OH含量下漏电流的降低是由于封端的Si-OH基团降低了薄膜中Si-O网络的连通概率p而导致网络电导下降的缘故.介电色散的增强与Si-OH封端结构的快极化过程有关.改变放电参数以提高电子能量,从而提高源的电离程度,使更多的Si-OH基团断裂并通过缩合反应形成Si-O-Si网络,可以进一步降低薄膜的介电常数.

关键词：SiCOH薄膜、Si-OH结构、介电性能、ECR放电等离子体

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院资助项目10575074;苏州大学校科研和教改项目

在线出版日期：2006-05-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2606-2612