射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究

摘要：

采用射频溅射制备BST薄膜,研究了薄膜的介电击穿特性.实验表明,在电压增大到传统击穿电压(电流密度出现瞬时增大时的电压)之前,薄膜性能已被破坏,发现在传统击穿状态之前存在另一个新状态--初始击穿状态.通过测试各状态的J-V(电流密度-电压)、J-T(电流密度-温度)特性分析其导电机理,建立了薄膜结构、漏电性能随电场强度增大而变化的模型.最后提出了确定实际意义上击穿电压的方法.

关键词：BST薄膜、介电击穿、漏电流

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

资助基金：科技部科研项目513102;国防预研基金51412020505DZ0202

在线出版日期：2006-05-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2513-2517