超深亚微米PMOSFET的自愈合效应

摘要：

主要研究负栅压偏置不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应中的自愈合效应,研究了器件阈值电压随着恢复时间和应力时间的恢复规律.研究表明器件的退化可以恢复是由于NBTI应力后界面态被氢钝化.

关键词：负偏置温度不稳定性效应、自愈合效应、应力时间、PMOSFET

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院资助项目60206006;国家科技攻关项目2004AA1Z1070;教育部重点科研项目104172

在线出版日期：2006-05-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2508-2512