双激子和浸润层泄漏以及俄歇俘获对量子点Rabi振荡衰减的影响

摘要：

研究了脉冲激光激发下半导体量子点激子Rabi振荡中多能级过程引起的退相干特性.运用多能级粒子数运动方程组,分别计算和分析了三种多能级过程(双激子、浸润层泄漏以及俄歇俘获过程)对量子点中Rab振荡衰减的影响.分析表明,双激子的影响在激发脉冲的脉宽较长时(＞5ps)可以忽略;浸润层的泄漏虽然使得激子基态上粒子数振荡的振幅随着激发场的增强而减小,但是同时也导致了振荡平均值的减小;分析和讨论了两种俄歇俘获方式对激子振荡和复合发光的影响.

关键词：Rabi振荡、半导体量子点、退相干、俄歇俘获

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院资助项目10534030,10474075

在线出版日期：2006-05-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2122-2127