Ti1-x(Hf0.919Zr0.081)xNiSn的制备及热电性能

摘要：

采用固相反应法合成了单相的Ti1－x(Hf0.919Zr0.081)xNiSn (x＝0.00-0.15),并用放电等离子烧结方法制备出密实块体材料.研究了Hf和Zr同时在Ti位上的等电子合金化对Ti基半Heusler化合物热电性能的影响规律. 结果表明:少量的Hf和微量的Zr在Ti位上的等电子合金化,显著地降低了体系的热导率k,同时显著地提高了体系的Seebeck系数α组成为Ti0.85(Hf0.919Zr0.081)0.15NiSn的试样室温热导率为3.72Wm-1K-1,在700K时ZT值达到最大为0.56.与三元TiNiSn相比,在相同温度下ZT值的提高率为190%-310%.

关键词：半Heusler、固相反应、热电性能

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金50310353

在线出版日期：2006-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2003-2007