Cd1-xZnxTe晶体的In气氛扩散热处理研究

摘要：

为了满足辐射探测器件的需要,将生长得到的Cd1-xZnxTe晶体在In气氛下进行退火处理能有效提高晶体的电阻率等性能. 退火处理过程的实质是一个扩散过程,因此研究扩散系数与Cd1-xZnxTe晶体的性能特别是电阻率变化之间的关系具有重要的意义. 建立了退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体材料电阻率及导电类型变化与杂质的扩散系数之间关系的模型.结合实验数据,获得了1073,973和873K下In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的扩散系数并估算了其激活能.提出了一种确定浅施主杂质在半导体中的扩散系数的新方法. 通过使用获得的扩散系数,模拟了1073,973和873K下及饱和In气氛下,退火时间对Cd0.9Zn0.1Te晶体电阻率及导电类型变化的影响,所得结果与实验相符.

关键词：CdZnTe、热处理、In气氛、扩散系数

所属期刊栏目：55

分类号：O4(物理学)

在线出版日期：2006-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1921-1929