p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究

摘要：

采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870-980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高;在900-980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与掺杂浓度有关,还与p-GaN生长条件有关,氮镓摩尔比过低导电性能就较差,过高则会引起表面粗糙.采用优化后的p-GaN制作了绿光发光二极管器件,发现生长温度越低器件发光强度越高,反向电压也越高,但正向电压只是略有升高.

关键词：Ⅲ-Ⅴ族半导体、氮化镓、发光二极管、金属有机物化学气相淀积

所属期刊栏目：55

分类号：O53(等离子体物理学)

资助基金：北京市自然科学基金D0404003040221;北京工业大学校科研和教改项目52002014200403

在线出版日期：2006-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1424-1429