SiGe HBT大信号等效电路模型

摘要：

基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下,利用该模型对SiGe HBT器件进行了交直流特性模拟分析,模拟结果与理论分析结果相一致,并且与文献报道的结果符合较好.

关键词：SiGe HBT、等效电路模型、PSPICE

所属期刊栏目：55

分类号：TN91

资助基金：国家部委预研基金41308060108;国家重点实验室基金51408010301DZ01;西安电子科技大学校科研和教改项目03011

在线出版日期：2006-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：403-408