10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.018
微晶硅薄膜的结构及光学性质的研究
借助RF-PECVD辅助RTP技术,采用高沉积气压的技术路线制备了优质的微晶硅薄膜,并利用拉曼光谱、反射谱和透射谱分别研究了微晶硅的晶化率和光学性质.实验中发现微晶硅的吸收边出现了相对红移,此相对红移可归结于薄膜晶化率的提高和带尾态密度的降低.
微晶硅、拉曼光谱、快速热处理、红移
55
O57(原子核物理学、高能物理学)
2006-03-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
98-101