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10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.070

NiFeNb种子层对坡莫合金磁滞回线的影响

引用
以NiFeNb为种子层,制备(Ni79Fe21)1-xNbx(5nm)/(Ni79Fe21)(20nm)/Ta(3nm)系列膜,并对其颗粒大小、磁滞回线及表面粗糙度等进行测量,探讨种子层中Nb含量x对坡莫合金磁滞回线的影响.结果表明,以NiFeNb作种子层能更好地改善坡莫合金的微结构.Nb含量为23%时的磁滞回线有最小的最大磁能积、矫顽力.种子层影响坡莫合金磁滞回线的一个重要原因是脱附激活能等因素造成种子层具有不同的表面粗糙度,进而使坡莫合金具有不同的微结构和磁性能.

NiFeNb种子层、坡莫合金、磁滞回线、粗糙度

54

O4(物理学)

重庆市科技计划2003-6111

2005-12-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

5389-5394

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

54

2005,54(11)

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