低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究

摘要：

使用实验室自制的低温近场光学显微镜研究了InGaN/GaN多量子阱发光二极管在室温和液氮温度下的近场光学像和近场光谱,发现随着温度的降低,不仅近场光学像的光强起伏大大减小,量子阱发光峰先蓝移后红移,而且在液氮温度下在光子能量更高的位置上出现了新的发光峰.通过对实验结果的分析,我们将这个新出现的峰归结为p-GaN层中导带底-受主能级间跃迁形成.

关键词：InGaN/GaN多量子阱、发光二极管、近场光学、低温

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院资助项目10074002;广东省博士启动基金

在线出版日期：2005-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：5344-5349