掺杂半导体β-FeSi2电子结构及几何结构第一性原理研究

摘要：

采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性缀加平面波法,使用广义梯度近似处理交换相关势能,首先计算了β-FeSi2的电子结构及其各元素各亚层电子的能态密度,β-FeSi2的电子能态密度主要由Fe的d层电子和Si的p层电子的能态密度确定;其次通过计算不同掺杂系统的总能量确定了掺杂原子在β-FeSi2中的置换位置,在β-FeSi2中,Co置换FeⅡ位置的Fe原子,Al置换SiⅠ位置的Si原子,这种择位置换与现有的计算结果完全一致;最后计算了Fe1-xCoxSi2和Fe(Si1-xAlx)2的电子结构,对它们的电子结构特征进行了分析,并探讨了电子结构对其热电性能(塞贝克系数、电传输及热传输性能)的影响.

关键词：第一性原理、电子结构、热电性能、FeSi2

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：上海市应用材料研究与发展基金0317;中国科学院资助项目50131030

在线出版日期：2005-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：5308-5313