反应离子刻蚀ZnTe的THz辐射和探测研究

摘要：

运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀(RIE)ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制,观察到0.25ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功率下的THz辐射强度,发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性,晶体的电光系数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数,分析了随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象.

关键词：THz辐射、反应离子刻蚀、ZnTe

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10125416;上海市重点基础研究项目03JC14082

在线出版日期：2005-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：4938-4943