10.3321/j.issn:1000-3290.2005.10.077
成分调制的La1-xSrx MnO3复合隧道结
利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法,在10mm×10mm大小的(001)取向SrTiO3单晶衬底上制备出三明治结构为La0.7Sr0.3MnO3(100nm)/La0.96Sr0.04MnO3(5nm)/La0.7Sr0.3MnO3(100nm)的隧道结外延薄膜,然后再次利用磁控溅射方法,在三层单晶膜上方继续沉积Ir22Mn78(15nm)/Ni79Fe21(5nm)/Pt(20nm)等金属三层膜.最后利用深紫外曝光和Ar离子束刻蚀等微加工技术,制备出长短轴分别为12和6μm或者8和4μm大小的椭圆形La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结.在4.2K和外加磁场8 T的测试下,La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结其隧穿磁电阻(TMR)比值达到3270%,直接从实验上证实了铁磁性La07Sr0.3MnO3金属氧化物的自旋极化率(97%)可接近100%,具有很好的半金属性质.
La1-xSrxMnO3、半金属、成分调制、复合磁性隧道路、隧穿磁电阻
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O4(物理学)
北京市自然科学基金2021003;科技部专项基金2002CCC01300;国家重点基础研究发展计划973计划2001CB610601;国家自然科学基金50325104;国家自然科学基金50271081;国家自然科学基金10274103
2005-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
4903-4908
