10.3321/j.issn:1000-3290.2005.10.071
太阳电池用本征微晶硅材料的制备及其结构研究
采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和反应气压的微晶硅薄膜.运用拉曼散射光谱和x射线衍射对制备的材料进行了结构分析.在实验研究的范围内,制备材料的晶化程度随硅烷浓度的增加而降低.XRD的测试结果表明:制备的微晶硅材料均体现了(220)方向择优.应用在电池的有源层中,制备出了效率达7.1%的单结微晶硅太阳电池,电池的结构是glass/ZnO/p(μc-Si:H)/I(μc-Si:H)/n(a-Si:H/Al),没有ZnO背反射电极,有源层的厚度仅为1.2μm.
本征微晶硅薄膜、拉曼光谱、x射线衍射
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O4(物理学)
国家重点基础研究发展计划973计划G2000028202和G2000028203;国际科技合作项目2002DFG00051;国家高技术研究发展计划863计划2002AA303261;天津市科技攻关项目043186511
2005-11-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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