ITO导电膜红外发射率理论研究

摘要：

根据红外辐射理论和薄膜光学原理计算了高品质ITO(indium tin oxide)导电膜的红外发射率,其理论曲线与实测曲线基本符合. 并得出方块电阻小于30Ω时,ITO膜在红外波段8-14μm的平均红外发射率理论值小于0.1.实际制备方块电阻小于10Ω的ITO膜具有优良的红外隐身性能. 讨论了高品质ITO膜具有低红外发射率的物理机理,并提出了低红外发射率临界方块电阻值,这有利於理论研究和工艺制备红外隐身ITO膜.

关键词：红外发射率、ITO薄膜、理论计算、方块电阻

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：国防科技应用基础研究基金K1201060805;国防预研基金413100202

在线出版日期：2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：4439-4444