直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究

摘要：

通过对直接键合InP-GaAs结构的红外吸收光谱分析以及断面扫描电子显微镜观察发现,样品制备过程中不均匀的外加压强导致InP-GaAs交界面局部出现了不连续过渡的空间层,实验上将熔融石蜡渗透并被填充到该空间层,利用其对3.509μm波长光的强烈吸收特性可表征这种局部的键合不连续区域,二维扫描测试样品不同区域的吸收谱得到3.509μm波长吸收强度等值线图,从而描绘出外加压强的不均匀分布.实验上通过改进键合装置的施压均匀性,得到了连续过渡界面且均匀键合的InP-GaAs结构,利用这种均匀键合技术有望制备大尺寸器件例如光学微腔等.

关键词：晶片直接键合、界面、红外吸收光谱

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314903

在线出版日期：2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：4334-4339