在双热舟化学气相沉积系统中通过掺In技术生长GaN纳米线和纳米锥

摘要：

在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点,有利于化合物半导体纳米材料的生长.利用该生长系统,通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂,分别在Si衬底和3C-SiC/Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥.所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪,和荧光谱仪进行表征.这里所用的生长方法新颖,生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值.

关键词：GaN、纳米结构、透射电子显微镜、光致荧光谱

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金10374004,90201037,50172001;国家重点实验室基金;国家纳米科学中心资助项目

在线出版日期：2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：4329-4333