射频磁控溅射法生长MgxZn1-xO薄膜的结构和光学特性

摘要：

用射频磁控溅射法在80℃的衬底温度下制备出MgxZn1-xO(0≤x≤0.30)薄膜.x射线衍射(XRD)结果表明,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,没有形成任何显著的MgO分离相,MgxZn1-xO薄膜的择优取向平行于与衬底垂直的c轴;c轴晶格常数随着Mg含量的增加逐渐减小.在MgxZn1-xO薄膜的光透射谱中出现锐利的吸收边,由透射谱估算出MgxZn1-xO薄膜的带隙宽度由3.32eV(x=0)线性地增加到3.96eV(x=0.30).

关键词：MgxZn1-xO薄膜、射频磁控溅射、Mg含量

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分类号：O4(物理学)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研项目20020422056

在线出版日期：2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：4309-4312