10.3321/j.issn:1000-3290.2005.09.033
各向异性量子点单光子发射的高偏振度特性
研究了线偏振脉冲光场激发下,单个各向异性InGaAs量子点的高偏振光发射. 给出其偏振因子与两个正交本征态之间的交叉弛豫之间的关系式. 分析表明,交叉弛豫随激发场强度增大,并导致偏振因子随激发场入射脉冲面积减小.
量子点、单光子发射、偏振度
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O4(物理学)
国家自然科学基金10344002,10474075
2005-09-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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