界面电偶极子对GaN/AlGaN/GaN光电探测器紫外/太阳光选择比的影响

摘要：

在GaN/AlGaN/GaN倒置异质结光电二极管(IHP)中,存在于AlGaN/GaN异质结界面处强烈的极化效应对器件的紫外/太阳光(UV/Solar)选择比产生了重要的影响.将极化效应总的影响分为两部分:电偶极子和极化项,在建立的GaN/AlGaN/GaN结构IHP模型的基础上,对电偶极子对器件UV/Solar选择比的影响进行了分析.分析结果表明,只有在考虑电偶极子的影响时,光电探测器的UV/Solar选择比在103数量级左右,与实验结果符合较好.因此,在IHP中必须考虑电偶极子的影响.

关键词：紫外/太阳光选择比、太阳盲区探测器、极化、电偶极子

所属期刊栏目：54

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划51327020301

在线出版日期：2005-09-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3810-3814